? 實驗采用JGP450型多靶頭磁控濺射儀，基材為K424合金，基材分別在無水乙醇和丙酮中超聲波清洗30min后烘干備用。鍍膜時本底真空度為6.6×10-4Pa，濺射氣體和反應氣體分別為Ar(純度99.999%)和O2(純度99.999%)，濺射功率為90W，濺射氣壓為1.0Pa，Ar和O2流量分別為30mL/s和4mL/s，靶基距為60mm，濺射時間為60min，基材溫度分別為25℃和300℃。采用鎳鉻硅型熱電偶控制基片溫度，到達設定溫度后穩定30min。鍍膜前靶材在純Ar氣氛中預濺射20min進行清洗，然后通入O2，待輝光穩定后開始實驗。

? 采用直流反應磁控濺射工藝在25℃和300℃分別制備了ZrO2薄膜和YSZ薄膜。結果表明：不同沉積溫度下ZrO2薄膜沉積速率差別不大，而YSZ薄膜在室溫時沉積速率較高，而且在相同的沉積條件下ZrO2薄膜比YSZ薄膜易于結晶。25℃時制備的ZrO2薄膜表現為非晶態，薄膜中只有微量的結晶態；300℃沉積的ZrO2薄膜結晶現象明顯，薄膜為單斜結構的多晶體，晶體自由取向生長。而在25℃、300℃制備的YSZ薄膜均為非晶態。隨沉積溫度的升高，ZrO2薄膜表面趨于致密平整，而YSZ薄膜表面則變得更加粗糙。